三星获得半导体图画传感器专利完成透光功率高且电阻低的作用

  金融界2023年12月28日音讯，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社获得一项名为“半导体图画传感器及其构成办法“，授权公告号CN111029364B，请求日期为2019年6月。

  专利摘要显现，一种半导体图画传感器包含基板和在基板上具有沟槽的阻隔绝缘图画。下通明电极供给在沟槽内。该下通明电极包含第一层和在第一层上的不同的第二层。有机光电层供给鄙人通明电极上，上通明电极供给在有机光电层上。第一层能触摸沟槽的底部和侧外表，并能在其间具有接缝，该接缝由第二层的一部分至少部分地填充。第一层能够相对于第二层具有更高的透光功率，而且相对于第二层具有更低的电阻。

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